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RIMM模組是下一世代的記憶體模組主要規格之一。 它不僅提供更高速的資料存取速度，也提供更低的消耗功率。而且它也是英特爾(Intel)公司於1999年推出晶片組(Chipset)所支援的記憶體模組。
提供DRAM 設計的Rambus公司己正式和宇瞻科技簽約，和宇瞻科技共同開發製造RIMM模組。宇瞻科技結合宏碁集團從電腦系統到零組件的設計製造能力之資源，提供消費者最佳品質的RIMM模組
RIMM
模組與 PC100 DIMM模組之差異：
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RIMM
Module |
PC100
DIMM Module |
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應用系統的
匯流排頻率
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133MHz |
100MHz |
| DRAM
顆粒 |
Direct
Rambus DRAM |
PC
100 SDRAM |
| DRAM
封裝方式 |
BGA |
TSOP |
| 記憶體工作電壓 |
2.5V |
3.3V |
| 模組腳數 |
184-pin |
168-pin |
| 記憶體工作頻率 |
800MHz |
100MHz |
| 頻寬 |
1.6GB/Sec |
800MB/Sec |
| 資料輸出速率 |
16-bit/Serial |
64-bit/Parallel |
| 電路板層數 |
8-layer |
6-layer |
宇瞻RIMM
模組特性:
傳輸頻寬高
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每秒1.6 GB
資料傳輸速度
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控制信號匯流排與資料匯流排分開，提高資料存取效率。
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每顆DRAM內含16個Bank，可同時處理四筆資料。
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延遲時間短
提供三種Prechange指令，使控制器運作更有彈性，並縮短資料讀取所需時間。
消耗功率低
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使用多重低功率狀態(Low
Power State)，降低消耗功率低，而且縮短回到使用狀態(Active
State)所需時間。
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系統進入省電狀態時，記憶體每隔固定時間可自行充電(Self-refresh)，以維護資料內容。
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DRAM 特性
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x16 :
使用於桌上型電腦應用系列
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x18 :
增加錯誤自動校正(ECC) 功能
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使用RSL (Rambus
Signal Level)，可達800MHz的工作頻率
支援SPD
(Serial Presence Detect
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